国家/地区 韩国（152）
IPC部 C（87） H（78） B（62）
G（19） A（14） D（3）
IPC大类 H01（73） C01（54） B82（25）
B32（21） B01（19） C08（19）
C09（17） A61（12） C23（11）
G02（9） B05（7） G01（7）
H05（6） B29（4） C12（4）
IPC小类 C01B（53） H01L（38） B82Y（22）
B32B（21） H01M（18） B01J（15）
C08K（14） H01B（14） C08J（13）
C08L（11） C09D（11） C23C（11）
A61K（8） A61Q（7） B05D（7）
IPC C01B031/02（22） C01B031/04（17） B82Y030/00（13）
B82Y040/00（13） H01L029/16（12） C08K003/04（11）
B32B009/00（10） C01B032/182（9） H01M004/36（9）
H01M004/62（9） A61K008/19（8） C01B032/198（8）
H01L021/336（8） H01L029/78（8） H01L029/786（8）
发明人 LEE S（152）
公开年 2022（37） 2021（19） 2014（14） 2012（12） 2013（10） 2020（10） 2016（9） 2023（9） 2017（7） 2010（6） 2015（6） 2018（6） 2019（4） 2011（2）
申请年 2021（27）  2020（24）  2022（14）  2013（11）  2014（11）  2011（10）  2012（10）  2016（9）  2019（7）  2009（6）  2015（6）  2017（6）  2018（6）  2010（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（26） KOREA INST S.（22） LEE J（12） LG ELECTRONI.（11）
LEE S（10） UNIV SEOUL N.（8） UNIV SUNGKYU.（8） KOREA RES IN.（5）
LG ENERGY SO.（5） LG CHEM LTD（4） POSTECH ACAD.（4） AMOSAINS FUN.（3）
DAEJOO ELECT.（3） DONG JIN SEM.（3） EVERCHEMTECH（3） KOREA ADVANC.（3）
KOREA INST C.（3） KOREA INST M.（3） LEE W（3） UNIV KOREA R.（3）

Packaging unit for directly cooling semiconductor device, has thin film structure that is provided with pattern portion which is formed in partitioning portion of fluid movement area to include same height as edge portion and closely adhere to flow channel of substrate.

PARK J, KANG M S, KIM H C, LEE H, JANG S J, JEONG H, CHOI I K, KIM S I, LEE S, AHN H, LIM J

Antibacterial functional brassiere for women, has body-shaped wrinkles that are formed on fastening strap, hemispherical cup part for covering chest, and shoulder strap for supporting cup portion in upward direction.

LEE S

Fabricating semiconductor device involves loading substrate with structure having opening, into process chamber, forming two-dimensional material layers on upper surface of structure, to overlie opening and form air-gap, where upper portion of air-gap, is defined by two-dimensional material layers.

SHIN K, LEE S, YOON J, AN S, LI Z, YOUN J, AN X, AHN S J, SU Y J, LEE S Y, SHIN K W

Catalyst useful for producing hydrogen comprises aluminum oxide or activated carbon, platinum supported in pores of aluminum oxide or activated carbon, and molybdenum mixed with platinum and supported in pores.

LEE K, JISU J, KIM C H, PARK T, LEE S, JANG J S, PARK T I

Radio frequency (RF) connector for use in e.g. communication facility, has shielding structure that is provided on one surface other than surface to which magnets of first structure and magnets of second structure are attached to each other.

LEE S, CHANG K, CHAE J, CHOI H, LEE S J, KONHEE C, CHAE J H

Electronic device for use in electronic apparatus, has two-dimensional material layer formed between channel layer and gate electrode, where material layer blocks electron transfer between gate electrode and channel layer.

SHIN K, BYUN K, LEE S, KIM C, LEE C, LI C, JIN C, SHIN K W, BYUN K E, LEESANGSOO, LEE C S

Attachable microphone for microphone array, has substrate having back chamber with first tubular hollow, and first frame member surrounding back chamber and containing first polymer or inorganic material; and back plate unit.

CHO K, MOON W, LEE S, KIM J, CHO K W, MOON W K, KIM J S

Integrated circuit structure for use in computing device, has graphene layer including first side coupled to conductor, and second side perpendicular to first side, and two-dimensional transition metal dichalcogenide layer coupled to base.

NAYLOR C, MAXEY K, OBRIEN K, DOROW C, LEE S, PENUMATCHA A V, AVCI U E, METZ M, CLENDENNING S B, METZ M V, OBRIEN K P, NAYLOR C H, KIRBY M, CHELSEA D, RISUDARAT, VERMA P A, ABSIYUGARI, BEE C S, ARFCHI U E

Surface finishing material used for furniture, comprises low preure melamine attached on top of furniture board and surface protective layer formed using coating solution applied and dried on surface of low preure melamine.

LEE S

Flash memory device for use in neuromorphic computing system, has blocking insulating layer that is arranged on floating gate and has second dielectric constant greater than first and upper gate that is disposed on blocking insulation layer.

KWAK J, PARK E P, LEE S Y, KIM I H, PARK J K, KIM J, KIL P J, JUNG Y J, JEONG Y, PARK J, KIM I, LEE S, PARK E, KWAK J Y